
材料出气/除气/释放/放气是固体释放气体的过程,特别是在封闭的环境中发生的释气。尤其在真空或高温环境中释放的挥发性成分可能导致分子污染,干扰半导体器件载流子迁移、破坏绝缘特性,甚至引发设备故障。
半导体EUV光刻胶应用于真空环境的EUV曝光设备中,其释气产生的污染物可能会降低光学镜面反射率、凝结在光罩或晶圆表面形成缺陷,严重影响光刻良率与器件可靠性,因此真空出气测试是EUV光刻胶材料筛选的关键可靠性评估环节。
一、主流测试标准 国际通用标准:应用最广泛的美标ASTM E595-15(2021),该标准最初源自NASA航天测试需求,是当前真空释气测试的权威准入门槛,可以量化材料放气性能,规避释气对EUV设备敏感部件的污染问题,目前也被半导体行业用来评估光刻胶的outgassing情况。 国内对应标准:中国航天行业标准QJ1558B-2016,QJ 20290-2014,GB/T 34517-2017,GJB 1217A-2009,SJ/T 11187-2023等真空出气评价方法也可用于光刻胶的真空释气评估。真空出气测试装置设备
展开剩余65%二、完整测试流程 样品预处理: 样品在23℃、50%相对湿度的常压环境下放置24小时,完成前期环境校准,排除环境湿度对初始测试的干扰。 真空测试阶段: 将预处理后的样品导入真空环境,放置在125℃的样品加热器中,挥发物收集板维持25℃,在5×10^-5 torr真空条件下持续测试24小时,模拟EUV光刻的真空高温工况收集释出物质。 后处理: 测试结束后将样品及挥发物收集板再次放入23℃、50%相对湿度的常压环境静置24小时,恢复样品状态便于后续指标计算。三、核心测试指标及要求总质量损失(TML):
要求≤1%,用于保障EUV光刻胶在真空长期使用中的稳定性,避免材料自身组分流失引发光刻分辨率、线宽粗糙度等关键性能发生变化。
挥发性可凝物(CVCM):
要求≤0.1%,该指标是EUV光刻胶评估的关键项,能够提前预判是否会有可凝污染物沉积在EUV曝光设备的光学镜片、电路等敏感部件上,防止设备光学性能下降、电路功能失效。
水汽量(WVR):
作为额外补充参数,可以校正环境湿度对测试结果的干扰,让最终测试数据更贴近EUV光刻的实际生产工况。
真空出气测试参数
真空出气测试能够精准筛选出低释气的EUV光刻胶材料,有效保障EUV曝光设备长期稳定运行,最终提升半导体器件的良品率与使用寿命。
北京领宇天际科技有限责任公司销售符合ASTM E595、QJ1558B-2016、QJ 20290-2014,GB/T 34517-2017,GJB 1217A-2009ASTM 1559等国际国内通用权威标准的真空出气测试装置设备, 并可为户提供合规专业的真空出气测试服务,服务证书全球认可,测试覆盖航天、光学、车载激光雷达、高端电子等多领域材料检测需求。
测试材料类型:有机聚合物和无机材料。其中包括聚合物灌封化合物、泡沫、弹性体、薄膜、胶带、绝缘材料、收缩管、粘合剂、涂料、织物、系绳和润滑剂等等。
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