材料出气/除气/释放/放气是固体释放气体的过程，特别是在封闭的环境中发生的释气。尤其在真空或高温环境中释放的挥发性成分可能导致分子污染，干扰半导体器件载流子迁移、破坏绝缘特性，甚至引发设备故障。
半导体EUV光刻胶应用于真空环境的EUV曝光设备中，其释气产生的污染物可能会降低光学镜面反射率、凝结在光罩或晶圆表面形成缺陷，严重影响光刻良率与器件可靠性，因此真空出气测试是EUV光刻胶材料筛选的关键可靠性评估环节。
一、主流测试标准 国际通用标准：应用最广泛的美标ASTM E595-15(2021)，该标准最初源自NASA航天测试需求，是当前真空释气测试的权威准入门槛，可以量化材料放气性能，规避释气对EUV设备敏感部件的污染问题，目前也被半导体行业用来评估光刻胶的outgassing情况。 国内对应标准：中国航天行业标准QJ1558B-2016，QJ 20290-2014，GB/T 34517-2017，GJB 1217A-2009，SJ/T 11187-2023等真空出气评价方法也可用于光刻胶的真空释气评估。真空出气测试装置设备
展开剩余65%二、完整测试流程 样品预处理： 样品在23℃、50%相对湿度的常压环境下放置24小时，完成前期环境校准，排除环境湿度对初始测试的干扰。 真空测试阶段： 将预处理后的样品导入真空环境，放置在125℃的样品加热器中，挥发物收集板维持25℃，在5×10^-5 torr真空条件下持续测试24小时，模拟EUV光刻的真空高温工况收集释出物质。 后处理： 测试结束后将样品及挥发物收集板再次放入23℃、50%相对湿度的常压环境静置24小时，恢复样品状态便于后续指标计算。三、核心测试指标及要求总质量损失(TML)：
要求≤1%，用于保障EUV光刻胶在真空长期使用中的稳定性，避免材料自身组分流失引发光刻分辨率、线宽粗糙度等关键性能发生变化。
挥发性可凝物(CVCM)：
要求≤0.1%，该指标是EUV光刻胶评估的关键项，能够提前预判是否会有可凝污染物沉积在EUV曝光设备的光学镜片、电路等敏感部件上，防止设备光学性能下降、电路功能失效。
水汽量(WVR)：
作为额外补充参数，可以校正环境湿度对测试结果的干扰，让最终测试数据更贴近EUV光刻的实际生产工况。
真空出气测试参数
真空出气测试能够精准筛选出低释气的EUV光刻胶材料，有效保障EUV曝光设备长期稳定运行，最终提升半导体器件的良品率与使用寿命。
北京领宇天际科技有限责任公司销售符合ASTM E595、QJ1558B-2016、QJ 20290-2014，GB/T 34517-2017，GJB 1217A-2009ASTM 1559等国际国内通用权威标准的真空出气测试装置设备， 并可为户提供合规专业的真空出气测试服务，服务证书全球认可，测试覆盖航天、光学、车载激光雷达、高端电子等多领域材料检测需求。
测试材料类型：有机聚合物和无机材料。其中包括聚合物灌封化合物、泡沫、弹性体、薄膜、胶带、绝缘材料、收缩管、粘合剂、涂料、织物、系绳和润滑剂等等。
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